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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
42
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
32
读取速度,GB/s
9.7
17.5
写入速度,GB/s
6.0
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3103
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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Kingston 9965669-009.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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