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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
9.7
17.3
写入速度,GB/s
6.0
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3395
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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