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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
9.7
18.5
写入速度,GB/s
6.0
16.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3873
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Jinyu 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
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