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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
9.7
19.7
写入速度,GB/s
6.0
16.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3706
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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