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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
42
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
20
读取速度,GB/s
9.7
19.3
写入速度,GB/s
6.0
15.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3327
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
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