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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
42
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
38
读取速度,GB/s
9.7
14.5
写入速度,GB/s
6.0
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2659
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ41HE4BDFA-DJ-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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