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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
42
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
31
读取速度,GB/s
9.7
15.3
写入速度,GB/s
6.0
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3126
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Kingston 9905625-062.A00G 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology C 8GB
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