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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.1
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
9.7
20.3
写入速度,GB/s
6.0
18.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
4173
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
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