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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
9.7
15.5
写入速度,GB/s
6.0
9.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2496
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
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