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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston 9905630-039.A00G 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
48
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
48
读取速度,GB/s
9.7
11.9
写入速度,GB/s
6.0
10.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2261
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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