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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston 9905743-034.A00G 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
9.7
15.9
写入速度,GB/s
6.0
11.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3026
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
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