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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.4
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
9.7
18.2
写入速度,GB/s
6.0
17.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3848
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
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