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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
42
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
35
读取速度,GB/s
9.7
16.7
写入速度,GB/s
6.0
15.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3191
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
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