Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

总分
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

总分
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    42 left arrow 52
    左右 19% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    10.2 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.2 left arrow 6.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17500 left arrow 10600
    左右 1.65 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    42 left arrow 52
  • 读取速度,GB/s
    9.7 left arrow 10.2
  • 写入速度,GB/s
    6.0 left arrow 8.2
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 17500
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    1396 left arrow 2319
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