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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
9.7
14.3
写入速度,GB/s
6.0
10.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2201
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
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