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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
42
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
19
读取速度,GB/s
9.7
19.8
写入速度,GB/s
6.0
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3370
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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