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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
42
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
21
读取速度,GB/s
9.7
17.9
写入速度,GB/s
6.0
13.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3167
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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