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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
45
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
45
读取速度,GB/s
9.7
10.0
写入速度,GB/s
6.0
8.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2414
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
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