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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
48
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
48
读取速度,GB/s
9.7
11.6
写入速度,GB/s
6.0
8.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2466
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
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