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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
47
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
47
读取速度,GB/s
9.7
10.0
写入速度,GB/s
6.0
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2308
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
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Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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