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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
9.7
14.6
写入速度,GB/s
6.0
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2073
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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