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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
42
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
35
读取速度,GB/s
9.7
15.8
写入速度,GB/s
6.0
12.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2852
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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