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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
9.7
16.2
写入速度,GB/s
6.0
11.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2907
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
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