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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
42
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
24
读取速度,GB/s
9.7
16.4
写入速度,GB/s
6.0
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2900
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB RAM的比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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最新比较
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Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
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