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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
49
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.8
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
49
读取速度,GB/s
9.7
10.8
写入速度,GB/s
6.0
7.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2324
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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