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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
9.7
16.2
写入速度,GB/s
6.0
12.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2908
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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