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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Super Talent F3200UA8G 8GB

总分
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

总分
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Super Talent F3200UA8G 8GB

Super Talent F3200UA8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    42 left arrow 58
    左右 28% 更低的延时
Super Talent F3200UA8G 8GB 需要考虑的原因
Super Talent F3200UA8G 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.9 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 6.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 58
  • 读取速度，GB/s
    9.7 left arrow 18.9
  • 写入速度，GB/s
    6.0 left arrow 9.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1396 left arrow 2250

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Super Talent F3200UA8G 8GB RAM的比较

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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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内存RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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内存RAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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