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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
67
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
67
读取速度,GB/s
9.7
16.2
写入速度,GB/s
6.0
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
1798
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB RAM的比较
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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