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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
62
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
62
读取速度,GB/s
9.7
15.9
写入速度,GB/s
6.0
7.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
1891
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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