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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
12.8
14.5
写入速度,GB/s
8.4
13.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2226
3377
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
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