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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
总分
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
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需要考虑的原因
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.8
16.6
写入速度,GB/s
8.4
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2226
2712
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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