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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.1
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
10.6
11.1
写入速度,GB/s
7.8
6.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
1254
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM的比较
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
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