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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
10.6
16.1
写入速度,GB/s
7.8
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2607
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
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