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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
10.6
18.2
写入速度,GB/s
7.8
14.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
3300
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KY7N41-MID 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
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