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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
10.6
17.3
写入速度,GB/s
7.8
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
3111
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
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