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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
81
左右 48% 更低的延时
需要考虑的原因
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
81
读取速度,GB/s
10.6
14.4
写入速度,GB/s
7.8
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
1824
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
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