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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
42
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
35
读取速度,GB/s
10.6
15.8
写入速度,GB/s
7.8
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2927
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
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