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OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
比较
OCZ OCZ2SI8002G 2GB vs Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
总分
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
总分
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
78
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,113.6
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
78
读取速度,GB/s
5,000.0
14.2
写入速度,GB/s
2,113.6
11.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
824
2087
OCZ OCZ2SI8002G 2GB RAM的比较
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Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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