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OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
比较
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
总分
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
总分
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
32
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
32
读取速度,GB/s
10.9
11.4
写入速度,GB/s
6.0
12.7
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1607
2804
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
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