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OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
比较
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
总分
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
总分
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
32
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
32
读取速度,GB/s
10.9
11.4
写入速度,GB/s
6.0
12.7
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1607
2804
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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