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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
AMD R744G2133U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2133U1S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
13.7
13.8
写入速度,GB/s
9.6
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2415
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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AMD R744G2133U1S 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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