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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
35
左右 -94% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
18
读取速度,GB/s
13.7
21.6
写入速度,GB/s
9.6
16.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
3889
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
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