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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
61
左右 43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
61
读取速度,GB/s
13.7
17.2
写入速度,GB/s
9.6
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2089
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
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