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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
35
左右 -119% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.2
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
16
读取速度,GB/s
13.7
22.2
写入速度,GB/s
9.6
17.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
3834
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
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