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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
27
读取速度,GB/s
13.7
16.5
写入速度,GB/s
9.6
13.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
3061
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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