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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
39
读取速度,GB/s
13.7
19.5
写入速度,GB/s
9.6
14.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
3825
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
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