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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
39
读取速度,GB/s
13.7
14.0
写入速度,GB/s
9.6
10.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2834
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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