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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
27
读取速度,GB/s
13.7
16.6
写入速度,GB/s
9.6
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2893
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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