RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

总分
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

总分
star star star star star
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

差异 规格 评论

差异

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 36
    左右 3% 更低的延时
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB 需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.7 left arrow 13.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.3 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    13.7 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 11.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2312 left arrow 2554

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
内存RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
内存RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
内存RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
内存RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
内存RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
内存RAM