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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
36
读取速度,GB/s
13.7
14.7
写入速度,GB/s
9.6
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2488
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
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