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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
36
读取速度,GB/s
13.7
14.6
写入速度,GB/s
9.6
7.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2183
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905595-011.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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